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SI5445BDC-T1-E3中文资料

SI5445BDC-T1-E3图片

SI5445BDC-T1-E3外观图

  • 大小:92.5KB
  • 厂家:Vishay
  • 描述: MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -8V;RDS(ON) 0.027Ohm;ID -5.2A;1206-8 ChipFET;PD 1.3W
  • 制造商:Vishay
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:8 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 8 V
  • 漏极连续电流:5.2 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):33 mOhms
  • 配置:Single
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:1206-8 ChipFET
  • 封装:Reel
  • 下降时间:22 ns
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:1.3 W
  • 上升时间:22 ns
  • 工厂包装数量:3000
  • 典型关闭延迟时间:75 ns
  • 零件号别名:SI5445BDC-E3

SI5445BDC-T1-E3供应商

更新时间:2022-12-31 13:48:26
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